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DMT69M8LFV-13  与  BSZ110N06NS3 G  区别

型号 DMT69M8LFV-13 BSZ110N06NS3 G
唯样编号 A-DMT69M8LFV-13 A-BSZ110N06NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11mΩ
上升时间 - 77ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 42W(Tc) 2.1W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 9.5mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V 20V
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8(UX 类) -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 45A(Tc) 20A
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3
驱动电压 4.5V,10V -
长度 - 3.3mm
下降时间 - 6ns
典型接通延迟时间 - 10ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT69M8LFV-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 当前型号
DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

¥2.959 

阶梯数 价格
20: ¥2.959
100: ¥2.277
1,000: ¥1.98
2,000: ¥1.87
3,990 对比
BSZ110N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ110N06NS3 G_8-PowerVDFN

暂无价格 0 对比
BSZ110N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ110N06NS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比
DMT69M8LFV-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8(UX类)

暂无价格 0 对比
IRFH7107 Infineon  数据手册 通用MOSFET

PQFN5x6E/G

暂无价格 0 对比

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